4月11日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團隊在實驗室內(nèi)合影。近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，寫入速度比目前Ｕ盤快一萬倍，數(shù)據(jù)存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時間4月10日，相關(guān)成果在線發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》雜志。 新華社記者 丁汀攝